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美光的历史:我们的时间线

我们的创新历史

2023
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2021
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2017
2016
2015
2014
2013
2012
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2004
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2002
2000
1999
1992
1988
1987
1984
1981
1979
1978
HBM3 Gen2

美光推出8高24GB HBM3E

With a 2.每瓦性能比前几代提高5倍, 美光的HBM3E沙巴体育结算平台创下了人工智能(AI)数据中心关键性能指标的记录, 容量和功率效率.

美光推出全球首个232层NAND芯片

美光推出全球首个232层NAND芯片, Extends Technology Leadership

美光业界领先的232层3D NAND为端到端的新浪潮奠定了基础 technologic innovation. With this industry first 232-layer advancement, Micron enables the best industry storage density, improved performance and industry-leading I/O speed. This helps unlock 在客户端、移动端和数据端实现数字化、优化和自动化的新机遇 center markets.

美光获得5万项专利 

美光获得5万项专利

Micron Technology's leadership is founded on continual innovation in memory, storage, 半导体技术及其他领域. 获得我们的第50,000项专利是一个里程碑 反映了美光全球团队成员几十年来的创造力和他们的成就 以敬业精神推动创新.

推出业界首个1α DRAM制程技术

1α (1-alpha) node DRAM products are built using the world’s most advanced DRAM process technology and offer major improvements in bit density, power and performance. The applications for this new DRAM technology are extensive and far reaching — enhancing 从移动设备到智能汽车的各种性能.

美光GDDR6X内存图像

推出GDDR6X后，存储器首次采用PAM4多级信令

GDDR6X is the world’s fastest discrete graphics memory solution, which is the first to 电力系统带宽高达每秒1tb /s. 多层次信令创新 GDDR6X打破了传统的带宽限制，创造了破纪录的速度 accelerating performance on complex graphics workloads across next-generation gaming applications.

Micron 176 Layer NAND 

推出业界首款176层NAND闪存

The world’s first 176-layer 3D NAND flash memory achieves unprecedented, 行业领先的密度和性能. 总之，美光的新176层技术 and advanced architecture represent a radical breakthrough, enabling immense gains in 应用程序性能跨越一系列存储用例，跨越数据中心，智能化 edge and mobile devices.

Micron® 5210 ION SSD 

美光推出业界首款四能级单元NAND固态硬盘

美光开始出货业界首款基于革命性四能级电池的固态硬盘 (QLC) NAND technology. 美光®5210 ION固态硬盘提供33%以上的比特密度 三层单元(TLC) NAND，寻址段以前与硬盘驱动器服务 (HDDs).

Micron®Authenta™技术 

美光宣布面向物联网设备的Authenta™安全技术

Micron®Authenta™技术 helps enable strong cryptographic IoT device identity and 闪存中的运行状况管理，为最低层提供独特的保护级别 物联网设备软件，从启动过程开始.

Micron NVDIMM-N module 

Micron将NVDIMM的容量加倍至32GB

美光将其DDR4 nvdimm的密度提高到32GB，容量是以前的两倍 solutions. NVDIMMs, also known as persistent memory, can permanently store data in DRAM even after a power loss. The Micron 32GB NVDIMM-N module provides both high-capacity and very fast throughput.

2016年:美光推出全球最快的图形DRAM——GDDR5X

美光推出全球最快的图形DRAM GDDR5X

这款内存的每引脚数据速率创历史新高，可实现巨大的图形性能和GPGPU computation capability. GDDR5X提供了高达14Gb/s的数据速率，基本上翻了一番 先前GDDR5内存的带宽.

Micron Xccela Flash 

美光成立Xccela™联盟推广新型接口总线

Xcella™行业联盟的创建有助于加速Xccela的采用 总线接口，一种新型的高性能数字互连，既适用于易失性 非易失性存储器.

2015: Micron and Intel Unveil 3D NAND, the Highest-Density Flash Ever Developed

Micron and Intel Unveil 3D NAND, the Highest-Density Flash Ever Developed

3D NAND marks a significant inflection point in the future of semiconductors. By stacking layers 在数据存储单元的垂直方向上，3D NAND的容量是平面NAND的三倍 technology.

2015: Micron and Intel Announce Breakthrough Memory 3D XPoint™ Technology

美光和英特尔宣布3D XPoint™技术

3D XPoint代表了几十年来第一个新的内存类别. 这种非易失性存储器高达 1,000 times faster and has up to 1,000 times greater endurance than NAND.

2014年:美光宣布业界首款单片8Gb DDR3 SDRAM

美光率先推出单片8Gb DDR3 SDRAM

这个单一组件在单个芯片上提供了显著的密度增加到1gb. 这种更高的密度使经济高效、高容量的解决方案能够优化支持 大规模的数据密集型工作负载.

2013年:美光推出世界上最小的16nm NAND闪存器件

美光推出全球最小的16nm NAND闪存器件

Micron’s 16nm process technology delivered 16GB of storage on a single die, the 有史以来密度最高的平面NAND闪存. 采用此工艺，单根300mm 晶圆可以创建近6TB的存储空间.

2012年:美光宣布业界首个2.5英寸PCIe企业SSD

美光生产行业首个2.5英寸PCIe企业SSD

This solution combined a high-performance PCI Express interface with a hot-swappable 2.5-inch 外形因素和自定义美光控制器，为企业性能创造了新的选择 可伸缩性和可服务性.

2012年:美光为超极本™推出新型低功耗DRAM

美光为Ultrabook™设备推出新型低功耗DRAM

DDR3L-RS memory established a new category of “reduced-power” DRAM solutions, 为新一代高性能超薄设备提供更长的电池寿命，如 笔记本电脑、平板电脑和超级本系统.
*超极本是英特尔公司或其旗下公司的商标 subsidiaries in the U.S. and/or other countries.

2011年:美光和英特尔宣布全球首款20nm MLC NAND

美光和英特尔宣布全球首款20nm MLC NAND

这个128Gb的MLC内存可以在一个只有8个的指尖大小的封装中存储1Tb的数据 模具，树立新的存储基准. 此外，这个内存是第一个使用 创新的平面胞体结构，克服了标准浮栅的尺度限制 NAND.

2011年:美光首次推出混合内存立方体(HMC)架构

美光首次推出混合内存立方体(HMC)架构

混合内存立方体(HMC)是一种革命性的DRAM架构，它将高速逻辑与 一种采用硅通孔(TSV)技术的存储器芯片堆栈. 从HMC身上学到的经验还在继续 应用于未来的新兴存储技术.

2009年:美光推出业界最快的客户端固态硬盘RealSSD™C300

美光推出业界最快的客户端固态硬盘RealSSD™C300

在发布时，C300是业界最快的笔记本和台式机固态硬盘 PCs. With support for the SATA III interface, this SSD delivered 6 Gb/s which significantly boosted throughput speeds for data transfers, application loads and boot times.

2007年:美光开发出业界首个双间距NAND

美光开发出业界首个双间距NAND

螺距加倍技术是一种不需要增加钻头密度的光刻技术 lithography change. This method involved the separation of bit lines into first and second metal layers, allowing Micron to deliver a 16Gb MLC device on existing 50nm technology.

2007年:美光推出低延迟、低功耗RLDRAM-2内存

美光公司推出低延迟、低功耗RLDRAM 2内存

最初是为网络设计的，这种高性能的DRAM很快成为解决方案 一个意想不到的应用选择:基于dlp的电视和投影仪. 虽然密度增加了 over time, reduced latency DRAM remains a staple in networking applications today.

2007年:美光和英特尔首次推出低于40纳米的NAND闪存

美光和英特尔首次推出低于40纳米的NAND闪存

This multi-level cell (MLC) NAND flash device was the industry’s first monolithic 32Gb NAND技术使高密度的固态存储能够在非常小的尺寸设备中实现， including digital cameras, personal music players and digital camcorders.

2006: 美光开发猫鼬测试仪，提高精度，降低成本

美光开发猫鼬测试仪，提高精度，降低成本

这款内部开发的测试仪由美光公司专门用于提高DRAM测试吞吐量 and accuracy. Micron continues to evolve this tester platform to meet new and future memory standards.

2006年:美光推出世界上密度最高的服务器内存模块

美光推出全球密度最高的服务器内存模块

美光的16GB DDR2模块在2000年代快速增长的服务器内存占用 虚拟化技术的兴起将多个应用程序打包到单个服务器上. These 高密度服务器模块是一个持续发展的趋势.

2005年:美光推出高容量、低功耗移动LPDRAM

美光推出高容量、低功耗移动LPDRAM

Micron’s 16MB DRAM — built on a tiny 33mm2 die — enabled higher capacity and 功耗低，占用空间小. 随着手机从简单的语音过渡到多媒体， LPDRAM需求急剧增加，这一趋势在今天的智能手机中仍在继续.

2004年:美光公司发布了用于手机的伪静态内存(PSRAM)

美光推出手机伪静态内存

伪静态SRAM (PSRAM)提供了所需的高带宽，容量和低功耗 取代移动设备中的SRAM. 美光在PSRAM领域的领导地位为未来铺平了道路 今天在移动设备中使用的低功耗DRAM沙巴体育结算平台.

2004年:美光开发出业界首个6F2 DRAM单元

美光开发出业界首款6F芯片2 DRAM Cell

美光开发了一款全新的6F2 蜂窝架构将取代行业架构 8F2 单元标准，使每个晶圆的比特数增加约25%. This higher-density design enabled Micron to reclaim the title as the industry’s most 具有成本竞争力的存储器生产商.

2003: Micron Develops 1.300万像素CMOS图像传感器

Micron Develops 1.300万像素CMOS图像传感器

美光进入图像传感器领域，确立了该公司作为有能力制造图像传感器的创新者的地位 CMOS technology with image quality rivaling charge coupled device (CCD) sensors. Today, CMOS sensors are the standard in digital cameras of all types, from smartphones to high-end professional gear.

2002: Micron Demonstrates Industry's First 1-Gigabit DDR on 110nm Process

美光展示业界首个110nm制程1gb DDR

美光的1Gb DDR采用了世界上最先进的工艺技术(110nm)， 超过了仍在130纳米制程的半导体巨头英特尔和AMD. This chip established Micron as the memory industry leader in both density and interface performance.

2000年:美光发明QDR SRAM，使内存带宽翻倍

美光的四数据速率SRAM将内存带宽加倍

Micron’s innovative quad data rate (QDR) architecture effectively doubled the SRAM 用于通信应用的带宽，如交换机和路由器. This unique design used 两个端口以双倍的数据速率独立运行，导致每个时钟有四个数据项 cycle.

1999年:美光公司生产出业界首款双数据速率(DDR) DRAM

美光生产业界首款DDR DRAM

美光展示的武士双数据速率(DDR)芯片组证明了DDR内存 可以提供与竞争对手的Direct RDRAM解决方案相当的性能，但成本要低得多 cost. Ultimately, DDR would become the undisputed industry-standard interface for high-performance DRAM.

1999年:美光16mb DRAM支持新Windows 3电脑.1

美光16mb DRAM支持新Windows 3电脑.1

16兆DRAM取代了美光的主流4兆DRAM沙巴体育结算平台线，这是密度上的一个里程碑. These higher capacity chips coincided with Microsoft’s release of Windows 3.1, which drove 最低PC内存要求为1兆字节.

1988年:美光推出首款视频RAM和快速静态RAM沙巴体育结算平台

美光推出首款视频RAM和快速静态RAM沙巴体育结算平台

The introductions of 256K video RAM and fast static RAM broadened Micron’s product 超越传统DRAM的沙巴体育结算平台组合，使美光成为差异化内存领域的参与者 types.

1988年:美光达到1兆DRAM里程碑

美光1兆DRAM上市

1Mb的DRAM是密度上的一个里程碑，它成为了个人电脑和显卡的主要内存 在20世纪80年代末和90年代. 美光的1Mb DRAM实现了高容量SIMM模块 支持安装微软新Windows操作系统的个人电脑.

1984年:美光推出世界上最小的256K DRAM芯片

美光推出全球最小的256K DRAM芯片

In addition to being introduced as the world’s smallest 256K DRAM die, this chip also 代表了DRAM密度的行业里程碑. 通过使用更大更容易读取的内存 对于年轻人来说，256K DRAM是未来效率和盈利能力的跳板 memory startup.

1981年:美光推出首款64K DRAM沙巴体育结算平台

美光推出首款64K DRAM沙巴体育结算平台

Micron’s 64K DRAM was the first product manufactured at the company’s newly completed 位于爱达荷州博伊西的制造工厂. 美光将其64K DRAM卖给了许多首批沙巴体育结算平台 mass-produced personal computers, including the Commodore 64 home computer.

1979年:工程师完成了64K DRAM的设计

美光工程师完成64K DRAM设计

虽然不是第一家生产64K DRAM的公司，但美光的工程师创造了一种更新、更小的DRAM 这个版本被誉为世界上最小的64K DRAM设计. 这种创新的设计 to high-volume manufacturing of the company’s first 64K product in 1981.

1978年:美光科技成立

美光科技成立

美光成立之初是一家位于爱达荷州博伊西市地下室的四人半导体设计公司 dental office. Micron’s first contract was for the design of a 64K memory chip for Mostek Corporation.

长期创新之路

美光成立于1978年，当时是一家只有四人的半导体设计公司，位于美国博伊西市的地下室, Idaho, dental office. 到1980年，我们的第一家制造厂破土动工, and then just a few years later we introduced the world’s smallest 256K DRAM. In 1994, 我们在财富500强中占有一席之地，并通过我们的技术创新稳步成长为行业领导者, key partnerships, 以及全球范围内的战略性收购. 看看是哪些里程碑成就了今天的我们.

2023

  • Micron celebrates 45th anniversary
  • 美光展示了业界首款8高24GB HBM3E内存
  • 美光宣布在印度建立新的半导体组装和测试设施
  • 美光推出内存扩展模块沙巴体育结算平台组合加速CXL 2.0 adoption
  • Micron starts construction on leading-edge memory manufacturing fab in Boise

2022

  • 美光公司推出了世界上最先进的1-Beta节点DRAM技术
  • 美光投资高达1000亿美元在纽约克莱建造巨型工厂
  • 美光在爱达荷州新厂投资150亿美元
  • 美光推出全球首款232层NAND芯片
  • 美光风险投资基金II承诺为深度科技创业公司投资2亿美元
  • 美光获得5万项专利

2021

  • 美光在亚特兰大开设设计中心
  • 美光首次发行10亿美元绿色债券
  • 美光在尖端内存和R领域投资了1500多亿美元&D  
  • 美光实现全面的全球薪酬平等
  • 美光推出业界首款1α DRAM技术

2020

  • Micron allocates $50 million to community development for underrepresented groups
  • Micron dedicates $35 million to global communities affected by the COVID-19 pandemic
  • 美光推出全球首款176层NAND闪存

2019

  • 《沙巴体育结算平台》将美光公司列入其多元化最佳雇主名单
  • Micron acquires FWDNXT
  • 美光宣布在日本广岛建立先进技术DRAM中心

2018

  • 美光获得首个卓越工作场所®认证
  • 美光庆祝40周年:40年强大，更强
  • Micron announces $1M grant to advance curiosity in Artificial Intelligence
  • 美光在弗吉尼亚州马纳萨斯建立了长生命周期沙巴体育结算平台卓越中心

2017

  • Micron establishes its Center of Excellence for High-Volume DRAM in Taiwan.
  • 美光在博伊西建立卓越技术创新中心
  • 美光被评为多样性100强创新者 & Inclusion by Mogul

2016

  • 美光收购intera记忆公司
  • 根据员工的意见，美光评选出了最受欢迎的财富500强公司之一
  • 美光在新加坡建立了NAND卓越中心

2015

  • 美光在《沙巴体育安卓版下载》杂志评选的雇主50强中排名第一
  • 美光收购Tidal Systems
  • 美光收购康威电脑公司
  • 美光收购Pico Computing

2013

  • 美光收购尔必达内存公司. 和Rexchip电子公司

2010

  • 美光收购NOR制造商Numonyx B.V. 来自英特尔，意法半导体，N.V. and Francisco Partners

2008

  • 美光与南亚成立DRAM合资企业intera Memories

2006

  • 美光收购Lexar Media

2005

  • 美光和英特尔成立了一家NAND合资企业IM Flash Technologies

2004

  • 美光推出首款2gb NAND闪存沙巴体育结算平台

2002

  • 美光展示全球首款1gb DDR DRAM沙巴体育结算平台
  • Micron acquires Toshiba's commodity DRAM operations at Dominion Semiconductor, LLC, 日本东芝公司的子公司, located in Manassas, Virginia

1999

  • 美光基金会的成立是为了推进STEM教育和支持社区.

1998

  • 美光收购德州仪器全球存储业务后，成为全球最大的存储器生产商之一

1996

  • Crucial Technology is created to market and sell memory upgrades to end-users

1994

  • 美光首次入选《沙巴体育安卓版下载》500强公司，排名第402位

1987

  • 美光推出1兆DRAM沙巴体育结算平台

1984

  • 美光推出全球最小的256K DRAM沙巴体育结算平台
  • 美光成为纳斯达克上市公司

1981

  • 首款64K DRAM沙巴体育结算平台出货

1980

  • 美光在爱达荷州博伊西的第一个制造基地破土动工

1978

  • Micron Technology Inc., is founded on Oct. 5, 1978
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